GeドープSIO2ガラスの二価欠陥からのge e（ '）中心の構造と形成メカニズム

GEドープSIO（2）のメガネのDivalent GE欠陥をモデル化する原子のクラスターについて、AB initio量子化学計算を実行しました。Divalent GE欠陥は、近くのGeo（4）四面体と相互作用し、観察された光吸収帯の原因となる複雑な構造単位を約5 eVで形成することがわかっています。これらの構造ユニットは、積極的に帯電した欠陥センターを介して、2つの同等のGE E 'センターに変換できることを示しました。

We have performed ab initio quantum-chemical calculations on clusters of atoms modeling a divalent Ge defect in Ge-doped SiO (2) glasses. It has been found that the divalent Ge defect interacts with a nearby GeO (4) tetrahedron, forming complex structural units that are responsible for the observed photoabsorption band at approximately 5 eV. We have shown that these structural units can be transformed into two equivalent Ge E' centers by way of the positively charged defect center.