後天性免疫におけるToll様受容体の役割：ナイーブB細胞でのBCRトリガーによるTLR9のアップレギュレーションとメモリB細胞での構成的発現

Toll様受容体（TLR）は、自然免疫を引き起こすパターン認識受容体です。この研究では、ヒトナイーブおよびメモリB細胞サブセットにおける10のTLRの発現を調査しました。ヒトナイーブB細胞では、ほとんどのTLRは低から検出不能なレベルで発現しているが、TLR9とTLR10の発現はB細胞受容体（BCR）トリガーに続いて急速に誘導されることを報告します。対照的に、メモリB細胞は、構成的に高いレベルでいくつかのTLRを発現します。TLR9の微分発現は、そのアゴニストであるCPG DNAに対する応答性と相関しています。したがって、ヒト記憶B細胞は、CPGに応答して免疫グロブリン（Ig）分泌細胞に増殖および分化しますが、Naive BはBCRを介して同時にトリガーされた場合にのみそうします。ヒトナイーブB細胞におけるTLRのBCR誘導発現は、抗原特異的B細胞への刺激を制限するため、一次応答でポリクローナル活性化を防ぎます。対照的に、メモリBセル内のTLRの構成的発現により、メモリプール全体のポリクローナル活性化が可能になります。したがって、ヒトB細胞では、TLRはBCRの下流であり、一次応答と記憶段階の両方で役割を果たします。

Toll-like receptors (TLRs) are pattern recognition receptors that trigger innate immunity. In this study we investigated the expression of 10 TLRs in human naive and memory B-cell subsets. We report that in human naive B cells most TLRs are expressed at low to undetectable levels, but the expression of TLR9 and TLR10 is rapidly induced following B-cell-receptor (BCR) triggering. In contrast, memory B cells express several TLRs at constitutively high levels. The differential expression of TLR9 correlates with responsiveness to its agonist, CpG DNA. Thus, human memory B cells proliferate and differentiate to immunoglobulin (Ig)-secreting cells in response to CpG, while naive B do so only if simultaneously triggered through the BCR. The BCR-induced expression of TLRs in human naive B cells prevents polyclonal activation in a primary response, because it restricts stimulation to antigen-specific B cells. In contrast, the constitutive expression of TLRs in memory B cells allows polyclonal activation of the entire memory pool. Thus, in human B cells TLRs are downstream of BCR and play a role both in the primary response and in the memory phase.