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Guang pu xue yu guang pu fen xi = Guang pu2002Aug01Vol.22issue(4)

[y/ni触媒を使用して生成されたシングルウォールカーボンナノチューブのラマン散乱]

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PMID:12938370DOI:
文献タイプ:
  • English Abstract
  • Journal Article
概要
Abstract

単一壁の炭素ナノチューブ(SWNT)は、触媒としてニッケルとイットリウムの混合物を備えた排出方法で合成されました。スキャン電子顕微鏡と透過型電子顕微鏡の検査結果は、サンプル内のSWNTの収量が高いことを示しています。SWNTは、514.5〜782.0 nmの範囲の励起波長を備えたラマン散乱技術によって調査されています。放射状の呼吸モードの周波数と強度にいくつかの違いが観察されました。SWNTの状態の電子密度は、ブリルアンゾーンの折りたたみを使用して計算されました。直径、RBM周波数、SWNTの状態の電子密度のデータに基づいて、放射状の呼吸モード(rmb)のラマンピークを割り当てるためのグラフィカルな方法が提案されました。SWNTの放射状呼吸モードが割り当てられます。結果は、SWNTの直径分布が0.79-1.76 nmの範囲であり、直径1.45 nmのSWNTが過半数であることを示しています。金属および半導体チューブはすべてサンプルに存在します。

単一壁の炭素ナノチューブ(SWNT)は、触媒としてニッケルとイットリウムの混合物を備えた排出方法で合成されました。スキャン電子顕微鏡と透過型電子顕微鏡の検査結果は、サンプル内のSWNTの収量が高いことを示しています。SWNTは、514.5〜782.0 nmの範囲の励起波長を備えたラマン散乱技術によって調査されています。放射状の呼吸モードの周波数と強度にいくつかの違いが観察されました。SWNTの状態の電子密度は、ブリルアンゾーンの折りたたみを使用して計算されました。直径、RBM周波数、SWNTの状態の電子密度のデータに基づいて、放射状の呼吸モード(rmb)のラマンピークを割り当てるためのグラフィカルな方法が提案されました。SWNTの放射状呼吸モードが割り当てられます。結果は、SWNTの直径分布が0.79-1.76 nmの範囲であり、直径1.45 nmのSWNTが過半数であることを示しています。金属および半導体チューブはすべてサンプルに存在します。

Single wall carbon nanotubes (SWNTs) were synthesized by electric are discharge method with a mixture of nickel and yttrium as catalysts. The examination results of scanning electronic microscope and transmission electronic microscope indicate that the yield of SWNTs in the sample were high. SWNTs have been investigated by Raman scattering techniques with excitation wavelengths in the range of 514.5 to 782.0 nm. We have observed some differences in the frequencies and intensities of the radial breathing modes. The electronic density of states of SWNTs was calculated using the Brillouin zone folding. A graphical method was proposed for assigning Raman peaks of the radial breathing modes (RMB) based on the data of diameters, RBM frequencies and electronic density of states of SWNTs. The radial breathing modes on SWNTs are assigned. The results indicate that the diameter distribution of SWNTs is in the range of 0.79-1.76 nm, and the SWNTs with diameter 1.45 nm are in the majority. The metallic and semiconductor tubes are all present in the sample.

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