チタン表面に形成された陽極酸化膜の物理化学的特性に対するフッ化物の影響

チタン表面に形成された陽極酸化酸化膜の電気化学的および半導体特性に対するフッ化物（およびその濃度）の影響は、電気化学測定（ポテンシオダイナミクス/門染色偏光、開回路電位（OCP）、およびカパシタンス測定）を実行することにより調査されました。フッ化物含有1.0 mの酸化フィルム/溶液インターフェイスシステムHCLO（4）ソリューション。モットシュショットキー分析に基づいて、酸化膜表面でのフッ化物イオンの表面反応（または、特異的な化学吸着）の両方と、フッ化物イオンの酸化物イオンへの移動/インターカレーションの両方を考慮に入れて、この研究で測定されたチタンの電気化学的挙動の変化（たとえば、ブロックされた陽極酸素の進化、増加する陽極定常状態電流密度、積極的にシフトしたフラットバンドのポテンシャル、および積極的にシフトした膜分解電位）は、表面の変化とバルク物理化学的特性（たとえば、表面電荷、表面状態密度、ドーピング濃度、界面電位の低下）によって解釈されました。チタンで栽培された陽極系フィルムの。この研究でテストされたフッ化物濃度は、酸化物膜の電気化学的挙動に対する影響に応じて3つのグループに分けることができます：<or = 0.001 m、0.001-0.01 m、および> 0.01 Mフッ化物を含む溶液中の受動的なチタン、フッ化物イオンの有害/脱的効果が酸化チタン膜に及ぼす影響を調べ、フィルムの故障時間のパラメーターで評価されます。また、より高い電位でチタンで陽性的に形成されたフィルム（> 2.5 V）は、フッ化物攻撃に対してより低い電位（<2.5 V）で形成されたもの（<2.5 v）またはネイティブに形成されたものよりも著しく高い安定性を示したことが示されました。

The influence of fluoride (and its concentration) on the electrochemical and semiconducting properties of anodic oxide films formed on titanium surfaces was investigated by performing electrochemical measurements (potentiodynamic/pontiostatic polarization, open circuit potential (OCP), and capacitance measurements) for a titanium/oxide film/solution interface system in fluoride-containing 1.0 M HClO(4) solution. On the basis of the Mott-Schottky analysis, and with taking into account both the surface reactions (or, say, the specifically chemical adsorption) of fluoride ions at the oxide film surface and the migration/intercalation of fluoride ions into the oxide film, the changes in the electrochemical behavior of titanium measured in this work (e.g., the blocked anodic oxygen evolution, the increased anodic steady-state current density, the positively shifted flat band potential, and the positively shifted film breakdown potential) were interpreted by the changes in the surface and the bulk physicochemical properties (e.g., the surface charges, surface state density, doping concentration, and the interfacial potential drops) of the anodic films grown on titanium. The fluoride concentrations tested in this work can be divided into three groups according to their effect on the electrochemical behavior of the oxide films: < or =0.001 M, 0.001-0.01 M, and >0.01 M. By tracing the changes of the OCP of the passivated titanium in fluoride-containing solutions, the deleterious/depassive effect of fluoride ions on the titanium oxide films was examined and evaluated with the parameter of the film breakdown time. It was also shown that the films anodically formed on titanium at higher potentials (>2.5 V) exhibited significantly higher stability against the fluoride attack than that either formed at lower potentials (<2.5 V) or formed natively in the air.