ZnOナノベルトとナノワイヤの平面欠陥の構造

ナノワイヤ、ナノベルト、ナノロッドなどの準単次元（1D）ナノ構造は、ナノテクノロジーの最前線の材料です。これまで、このようなナノ構造は、広範囲の半導体と酸化物のために合成されており、それらは多数のナノスケールデバイスを製造するための潜在的なビルディングブロックです。1D ZnOナノ構造は、そのユニークな半導体、圧電、および生体安全性の特性により、幅広い注目を集めています。構造の観点から、ZnOナノ構造の一般的な特徴は、それらがほとんど脱臼していないことです。ただし、平面および点の欠陥は、そのようなナノ構造に頻繁に存在します。このペーパーの目的は、積み重ね障害、双子、1D ZnOナノ構造に存在する反転ドメイン壁などの平面欠陥の構造に関する詳細な電子顕微鏡研究を提示することです。これらの平面欠陥は、1D ZnOナノ構造の成長メカニズムと関連する物理的およびおそらく化学的特性を理解するために重要です。

Quasi-one-dimensional (1D) nanostructures, such as nanowires, nanobelts and nanorods, are the forefront materials for nanotechnology. To date, such nanostructures have been synthesized for a wide range of semiconductors and oxides, and they are potential building blocks for fabricating numerous nano-scale devices. 1D ZnO nanostructures, due to its unique semiconducting, piezoelectric, and bio-safe properties, have received wide attention. From structure point of view, a common characteristic of ZnO nanostructures is that they are mostly dislocation-free. However, planar and point defects do frequently exist in such nanostructures. The objective of this paper is to present detailed electron microscopy study about the structures of planar defects, such as stacking faults, twins, inversion domain walls that existed in 1D ZnO nanostructures. These planar defects are important for understanding the growth mechanism and relevant physical and possibly chemical properties of 1D ZnO nanostructures.