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CLC-7/OSTM1イオン輸送体の変異は、骨拡大とリソソーム貯蔵疾患を引き起こします。そのリソソーム局在は、これまで詳細な機能的特性評価を排除しました。原形質膜に到達する変異CLC-7を使用して、OSTM1βサブユニットのアミノテルミヌスと膜貫通スパンの両方がCLC-7 Cl( - )/H(+) - 交換に必要であることを示しますが、OSTM1膜貫通はドメインは、CLC-7依存性のリソソームへの人身売買に十分です。CLC-7/OSTM1電流は、イオン交換のゲーティングが遅いため、本質的にほぼ線形電圧依存性を示すため、非常に外側に整流していました。尾電流の反転電位により、2cl( - )/1h(+) - 交換化学量論が明らかになりました。いくつかの疾患を引き起こすCLCN7変異がゲーティングを促進しました。このような突然変異は、2番目のサイトゾルシストチオニン-β-シンナゼドメインと膜貫通セグメントの潜在的な接触部位に合わせます。私たちの研究は、ゲーティングがすべてのエンドソーム/リソソームCLCの修正の根底にあり、チャネルを超えてイオン交換器に電圧ゲーティングの概念を拡張することを示唆しています。
CLC-7/OSTM1イオン輸送体の変異は、骨拡大とリソソーム貯蔵疾患を引き起こします。そのリソソーム局在は、これまで詳細な機能的特性評価を排除しました。原形質膜に到達する変異CLC-7を使用して、OSTM1βサブユニットのアミノテルミヌスと膜貫通スパンの両方がCLC-7 Cl( - )/H(+) - 交換に必要であることを示しますが、OSTM1膜貫通はドメインは、CLC-7依存性のリソソームへの人身売買に十分です。CLC-7/OSTM1電流は、イオン交換のゲーティングが遅いため、本質的にほぼ線形電圧依存性を示すため、非常に外側に整流していました。尾電流の反転電位により、2cl( - )/1h(+) - 交換化学量論が明らかになりました。いくつかの疾患を引き起こすCLCN7変異がゲーティングを促進しました。このような突然変異は、2番目のサイトゾルシストチオニン-β-シンナゼドメインと膜貫通セグメントの潜在的な接触部位に合わせます。私たちの研究は、ゲーティングがすべてのエンドソーム/リソソームCLCの修正の根底にあり、チャネルを超えてイオン交換器に電圧ゲーティングの概念を拡張することを示唆しています。
Mutations in the ClC-7/Ostm1 ion transporter lead to osteopetrosis and lysosomal storage disease. Its lysosomal localization hitherto precluded detailed functional characterization. Using a mutated ClC-7 that reaches the plasma membrane, we now show that both the aminoterminus and transmembrane span of the Ostm1 β-subunit are required for ClC-7 Cl(-)/H(+)-exchange, whereas the Ostm1 transmembrane domain suffices for its ClC-7-dependent trafficking to lysosomes. ClC-7/Ostm1 currents were strongly outwardly rectifying owing to slow gating of ion exchange, which itself displays an intrinsically almost linear voltage dependence. Reversal potentials of tail currents revealed a 2Cl(-)/1H(+)-exchange stoichiometry. Several disease-causing CLCN7 mutations accelerated gating. Such mutations cluster to the second cytosolic cystathionine-β-synthase domain and potential contact sites at the transmembrane segment. Our work suggests that gating underlies the rectification of all endosomal/lysosomal CLCs and extends the concept of voltage gating beyond channels to ion exchangers.
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