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INAS/GASBタイプII超格子フォトダイオード検出器の成長と製造に関する最近の研究を報告します。超格子は、各期間の9個の単層INAS/12単層GASBで構成されています。GASB基板と超格子の間の格子の不一致は1.5×10-4です。X線回折からの1次衛星ピークの最大半分の全幅は28 Arc Secです。吸収領域（I領域）の600期間の超格子を持つP-I-Nフォトダイオードは、4.3μmの50％のカットオフ波長を示しています。現在の応答性は、ブラックボディ放射線から0.48 A/Wで測定されました。1.75×1011 cmHz1/2/Wのピーク検出率と3.6μMでの41％の量子効率が得られました。PACS：85.60.-Q;85.60.gz;85.35.-be。
INAS/GASBタイプII超格子フォトダイオード検出器の成長と製造に関する最近の研究を報告します。超格子は、各期間の9個の単層INAS/12単層GASBで構成されています。GASB基板と超格子の間の格子の不一致は1.5×10-4です。X線回折からの1次衛星ピークの最大半分の全幅は28 Arc Secです。吸収領域（I領域）の600期間の超格子を持つP-I-Nフォトダイオードは、4.3μmの50％のカットオフ波長を示しています。現在の応答性は、ブラックボディ放射線から0.48 A/Wで測定されました。1.75×1011 cmHz1/2/Wのピーク検出率と3.6μMでの41％の量子効率が得られました。PACS：85.60.-Q;85.60.gz;85.35.-be。
We report our recent work on the growth and fabrication of InAs/GaSb type II superlattice photodiode detectors. The superlattice consists of 9 monolayer InAs/12 monolayer GaSb in each period. Lattice mismatch between the GaSb substrate and the superlattice is 1.5 × 10-4. The full width at half maximum of the first-order satellite peak from X-ray diffraction is 28 arc sec. The P-I-N photodiodes in which the absorption regions (I regions) have 600 periods of superlattice show a 50% cutoff wavelength of 4.3 μm. The current responsivity was measured at 0.48 A/W from blackbody radiation. The peak detectivity of 1.75 × 1011 cmHz1/2/W and the quantum efficiency of 41% at 3.6 μm were obtained.PACS: 85.60.-q; 85.60.Gz; 85.35.-Be.
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