グラフェンの相互作用誘発量子ホール状態のプローブとしての伝導率変動

輸送測定は通常、サンプルの巨視的で平均化されたビューを提供するため、障害が脆弱な相互作用誘発状態の観察を防ぎます。ここでは、グラフェンフィールド効果トランジスタの伝導率の変動が、非圧縮性量子状態の近くに形成されるDOTネットワークの形成により、ナノメートルスケールの電荷局在現象を反映することを実証します。これらの変動は、従来の磁気交流の量に隠されたままであるにもかかわらず、壊れやすい壊れた対称性と分数量子ホール状態にアクセスできます。

Transport measurements normally provide a macroscopic, averaged view of the sample so that disorder prevents the observation of fragile interaction-induced states. Here, we demonstrate that transconductance fluctuations in a graphene field effect transistor reflect charge localization phenomena on the nanometer scale due to the formation of a dot network which forms near incompressible quantum states. These fluctuations give access to fragile broken symmetry and fractional quantum Hall states even though these states remain hidden in conventional magnetotransport quantities.