RheniumドープMos2ナノ粒子におけるフォノン寿命の分光測定

初期および再配置されたMos2ナノ粒子の赤外線振動特性を調査し、複数の散乱イベントの観点から抽出されたフォノン寿命を分析しました。私たちの測定では、それぞれ穀物の境界散乱と電荷と質量の効果に起因するサイズとドーピング依存の両方の変化が明らかになります。対照的に、生まれた充電はサイズのみの影響を受けます。これらの発見は、従来のバルク半導体と量子ドットを超えて到達することの有用性を示しており、低次元半導体ナノマテリアルにおけるドーピングと閉じ込めにキャリアとフォノンの相互作用にどのように影響するかを探ります。

We investigated the infrared vibrational properties of pristine and Re-substituted MoS2 nanoparticles and analyzed the extracted phonon lifetimes in terms of multiple scattering events. Our measurements reveal both size- and doping-dependent changes that we attribute to grain boundary scattering and charge and mass effects, respectively. By contrast, Born charge is affected only by size. These findings illustrate the utility of reaching beyond traditional bulk semiconductors and quantum dots to explore how doping and confinement impact carrier-phonon interactions in low-dimensional semiconducting nanomaterials.