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さまざまな量のALME3またはGAME3を使用したボリリチウム(THF)2li [B(NDIPPCH)2](DIPP = 2,6-ジソプロピルフェニル)の処理は、インターグループ13化合物の形成につながります。等モル反応により、型(THF)NLI(ME3M)[B(NDIPPCH)2](M = AL、GA)の錯体(n = 2、3)または8員環構造(n = 1)が生じます。。過剰な量のグループ13金属メチル化合物を使用すると、4座のTHFアドダクト(THF)(ME2M)[B(NDIPPCH)2]または溶解していない複合体{(ME2M)[B(NDIPPCH)2]をもたらす可能性があることを以前に報告しました。} x(m = al、x = 2; m = ga、x = 1)limme4の分離による。ポリマー[(THF)Li(ET3AL){b(ndippch)2}] nは、ボリリチウムが等極量のALET3と反応すると形成されます3。離散THFアドダクト(THF)ET2AL [B(NDIPPCH)2]は、Boryllithium/ALET3比1:5を使用すると分離できます。THF付加物(THF)ME2GA [B(NDIPPCH)2]の反応とLa(Alme4)3は、ドナー支援のテトラメチルアルミネート/アルキルガレート交換によると、ヘテロガラート複合体la [(me3ga){b(ndippch)2}] 3を提供します。得られた複合体は、サポートされていないB-ALおよびB-GA接触を伴う結晶学的に特徴付けられた非クラスター化合物のまれな例を特徴としています。
さまざまな量のALME3またはGAME3を使用したボリリチウム(THF)2li [B(NDIPPCH)2](DIPP = 2,6-ジソプロピルフェニル)の処理は、インターグループ13化合物の形成につながります。等モル反応により、型(THF)NLI(ME3M)[B(NDIPPCH)2](M = AL、GA)の錯体(n = 2、3)または8員環構造(n = 1)が生じます。。過剰な量のグループ13金属メチル化合物を使用すると、4座のTHFアドダクト(THF)(ME2M)[B(NDIPPCH)2]または溶解していない複合体{(ME2M)[B(NDIPPCH)2]をもたらす可能性があることを以前に報告しました。} x(m = al、x = 2; m = ga、x = 1)limme4の分離による。ポリマー[(THF)Li(ET3AL){b(ndippch)2}] nは、ボリリチウムが等極量のALET3と反応すると形成されます3。離散THFアドダクト(THF)ET2AL [B(NDIPPCH)2]は、Boryllithium/ALET3比1:5を使用すると分離できます。THF付加物(THF)ME2GA [B(NDIPPCH)2]の反応とLa(Alme4)3は、ドナー支援のテトラメチルアルミネート/アルキルガレート交換によると、ヘテロガラート複合体la [(me3ga){b(ndippch)2}] 3を提供します。得られた複合体は、サポートされていないB-ALおよびB-GA接触を伴う結晶学的に特徴付けられた非クラスター化合物のまれな例を特徴としています。
Treatment of boryllithium (THF)2Li[B(NDippCH)2] (Dipp = 2,6-diisopropylphenyl) with various amounts of AlMe3 or GaMe3 leads to the formation of inter group 13 compounds. Equimolar reactions result in ate complexes of the type (THF)nLi(Me3M)[B(NDippCH)2] (M = Al, Ga) with discrete (n = 2, 3) or eight-membered ring structures (n = 1). We reported previously that use of excessive amounts of group 13 metal methyl compounds can result in four-coordinate THF-adducts (THF)(Me2M)[B(NDippCH)2] or unsolvated complexes {(Me2M)[B(NDippCH)2]}x (M = Al, x = 2; M = Ga, x = 1) via separation of LiMMe4. Polymeric [(THF)Li(Et3Al){B(NDippCH)2}]n is formed when boryllithium is reacted with an equimolar amount of AlEt3. The discrete THF-adduct (THF)Et2Al[B(NDippCH)2] can be isolated when using a boryllithium/AlEt3 ratio of 1 : 5. The reaction of THF-adduct (THF)Me2Ga[B(NDippCH)2] with La(AlMe4)3 affords the heterogallate complex La[(Me3Ga){B(NDippCH)2}]3, according to a donor-assisted tetramethylaluminate/alkylgallate exchange. The obtained complexes feature rare examples of crystallographically characterized non-cluster compounds with unsupported B-Al and B-Ga contacts.
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