1T-TAS2における電動駆動性リバーシブル絶縁体相転移

この作業では、DCとパルス源を使用した1T-TAS2の抵抗性の突然の可逆的スイッチングを示し、絶縁モットメタリック状態と平衡金属状態の間の絶縁メタル遷移に対応しています。この遷移は、温度やバイアス条件に関係なく7 mohm-cmの一定の臨界抵抗率で発生し、他の小さなギャップモット絶縁材料の雪崩崩壊による遷移よりも遷移時間が大幅に小さくなります。さらに、この臨界抵抗率は、4.5×10（19）cm（-3）のキャリア密度に対応しており、これは、相応性からほぼ相応の電荷密度波遷移の臨界キャリア密度とよく比較されます。これらの結果は、1T-TAS2のモットギャップのキャリア駆動型の崩壊によって遷移が促進され、高速（3 ns）の切り替えになることを示唆しています。

In this work, we demonstrate abrupt, reversible switching of resistance in 1T-TaS2 using dc and pulsed sources, corresponding to an insulator-metal transition between the insulating Mott and equilibrium metallic states. This transition occurs at a constant critical resistivity of 7 mohm-cm regardless of temperature or bias conditions and the transition time is significantly smaller than abrupt transitions by avalanche breakdown in other small gap Mott insulating materials. Furthermore, this critical resistivity corresponds to a carrier density of 4.5 × 10(19) cm(-3), which compares well with the critical carrier density for the commensurate to nearly commensurate charge density wave transition. These results suggest that the transition is facilitated by a carrier driven collapse of the Mott gap in 1T-TaS2, which results in fast (3 ns) switching.