四角形のタングステンブロンズBA05-XTAO3-Xにおけるトンネル充填順序、熱膨張、誘電体弛緩の非球体制御制御

四角形タングステンブロンズ（TTB）の五角形トンネルにおける補間BA（2+）鎖および代替TA-O-O-O-o-o-o-o-o-o-o-o-o-o-o-o-o-olows（3+）の順序は、高度に非酸素測定BA0.5- x5-x3-xシステムにおける非測定法によって制御されます。BA0.22TAO2.72では、BA（2+）および（TAO）（3+）グループの充填が、単純なTTB構造のAB平面に沿って部分的に順序付けられ、√2タイプのTTB上部構造（PBMM）をもたらします。、BA0.175TAO2.675では、五角形のトンネルの充填がB軸に沿って完全に順序付けられます単純なTTB構造は、トリプルTTB上部構造（P21212）につながります。両方の上部構造は、BA（2+）伝導を支持する完全に空の正方形のトンネルを示し、小さな三角形のトンネルにTA（5+）カチオンの異常な調節を特徴としています。化学量論的BA6GATA9O30とは対照的に、細胞パラメーターの線形熱膨張と100〜800 K以内の温度による誘電率の単調な低下、これらのTTB過構造、およびわずかに非酸素測定シンプルTTB BA0.4TAO2.9リラクゼーション10（3）-10（5）Hz室温を上回るHz、600 K前後のC軸熱膨張の線形偏差、室温で1 MHzで約60-95で高誘電率誘電率。

Ordering of interpolated Ba(2+) chains and alternate Ta-O rows (TaO)(3+) in the pentagonal tunnels of tetragonal tungsten bronzes (TTB) is controlled by the nonstoichiometry in the highly nonstoichiometric Ba0.5-xTaO3-x system. In Ba0.22TaO2.72, the filling of Ba(2+) and (TaO)(3+) groups is partially ordered along the ab-plane of the simple TTB structure, resulting in a √2-type TTB superstructure (Pbmm), while in Ba0.175TaO2.675, the pentagonal tunnel filling is completely ordered along the b-axis of the simple TTB structure, leading to a triple TTB superstructure (P21212). Both superstructures show completely empty square tunnels favoring Ba(2+) conduction and feature unusual accommodation of Ta(5+) cations in the small triangular tunnels. In contrast with stoichiometric Ba6GaTa9O30, which shows linear thermal expansion of the cell parameters and monotonic decrease of permittivity with temperature within 100-800 K, these TTB superstructures and slightly nonstoichiometric simple TTB Ba0.4TaO2.9 display abnormally broad and frequency-dependent extrinsic dielectric relaxations in 10(3)-10(5) Hz above room temperature, a linear deviation of the c-axis thermal expansion around 600 K, and high dielectric permittivity ∼60-95 at 1 MHz at room temperature.