ナノフォーカスX線回折および個々のコアシェル（IN、GA）N/GANロッド排出ダイオードへのカソドルミネセンスの調査

ナノフォーカスX線回折を使用して、コアシェルジオメトリのGan Micro-Rodに埋め込まれた5倍（in、ga）n多積層により誘導される局所ひずみ場を調査します。直径が150 nmのX線ビーム幅のため、個々のM顔面を区別し、ロッドの高さに沿って有意な面内ひずみ勾配を検出することができます。この勾配は、空間的に分解されたカソドルミネッセンス測定によって明らかにされた放出された波長の赤方偏移に変換されます。有限要素法を使用して数値的に導出された面内株とその後の運動学的散乱シミュレーションを使用して結果を解釈します。この効果の駆動パラメーターは、ロッド先端に向かってインジウム含有量が増加していることを示しています。

Employing nanofocus x-ray diffraction, we investigate the local strain field induced by a five-fold (In,Ga)N multi-quantum well embedded into a GaN micro-rod in core-shell geometry. Due to an x-ray beam width of only 150 nm in diameter, we are able to distinguish between individual m-facets and to detect a significant in-plane strain gradient along the rod height. This gradient translates to a red-shift in the emitted wavelength revealed by spatially resolved cathodoluminescence measurements. We interpret the result in terms of numerically derived in-plane strain using the finite element method and subsequent kinematic scattering simulations which show that the driving parameter for this effect is an increasing indium content towards the rod tip.