単一ニューロンと導電性表面間の界面の走査電子顕微鏡観察

単一ニューロンと導電性基質の間の界面を、集中イオンビーム（FIB）粉砕およびその後の走査型電子顕微鏡（SEM）観察を使用して調査しました。インターフェイスは、ニューロンナノ構造統合デバイスを製造するときに、ニューロンの成長を制御する上で重要な役割を果たします。FIB/SEMデュアルシステムで得られた栽培ニューロンの断面画像は、基質のニューロンの明確な親和性を示しています。インジウムインジウム酸化物（ITO）に付着したニューロンはほとんどありませんでした。ニューロンゴールド界面が部分的な接着を示しました。一方、ニューロン - チタン界面が良好な接着を示し、小さな隙間が観察されました。これらの結果は、蛍光顕微鏡を使用して行われた評価と一致しています。SEM画像のはるかに高い空間解像度が、より詳細な情報を提供することを期待しています。私たちの研究は、単一のニューロンと基質の間の界面が、表面特性の改善とニューロンナノ構造統合デバイスの確立に関して有用な情報を提供することを示しています。

Interfaces between single neurons and conductive substrates were investigated using focused ion beam (FIB) milling and subsequent scanning electron microscopy (SEM) observation. The interfaces play an important role in controlling neuronal growth when we fabricate neuron-nanostructure integrated devices. Cross sectional images of cultivated neurons obtained with an FIB/SEM dual system show the clear affinity of the neurons for the substrates. Very few neurons attached themselves to indium tin oxide (ITO) and this repulsion yielded a wide interspace at the neuron-ITO interface. A neuron-gold interface exhibited partial adhesion. On the other hand, a neuron-titanium interface showed good adhesion and small interspaces were observed. These results are consistent with an assessment made using fluorescence microscopy. We expect the much higher spatial resolution of SEM images to provide us with more detailed information. Our study shows that the interface between a single neuron and a substrate offers useful information as regards improving surface properties and establishing neuron-nanostructure integrated devices.