INP基質上の原子層堆積HFO2フィルムのための超薄ZNSおよびZNO界面不動態化層

原子層堆積（ALD）によって栽培された超甲状腺ZNSおよびZNOフィルムは、INP基質上のHFO2フィルムの界面不動態化層（IPL）として採用されました。HFO2フィルムのALD中の界面層の成長は、IPLSによって効果的に抑制され、その結果、電気の厚さ、ヒステリシス、および界面状態密度が減少しました。ZnO IPLと比較して、ZNS IPLは、価数帯域の近くの界面状態密度を低下させるのに効果的でした。フィルムの漏れ電流密度は、フィルムの結晶化が抑制されたため、IPLSによって大幅に低下しました。特にZNS IPLを使用したフィルムでは、低電圧領域の漏れ電流密度は、ZNO IPLを使用したフィルムで観察された領域よりも有意に低かった。INP基板。

Ultrathin ZnS and ZnO films grown by atomic layer deposition (ALD) were employed as interfacial passivation layers (IPLs) for HfO2 films on InP substrates. The interfacial layer growth during the ALD of the HfO2 film was effectively suppressed by the IPLs, resulting in the decrease of electrical thickness, hysteresis, and interface state density. Compared with the ZnO IPL, the ZnS IPL was more effective in reducing the interface state density near the valence band edge. The leakage current density through the film was considerably lowered by the IPLs because the film crystallization was suppressed. Especially for the film with the ZnS IPL, the leakage current density in the low-voltage region was significantly lower than that observed for the film with the ZnO IPL, because the direct tunneling current was suppressed by the higher conduction band offset of ZnS with the InP substrate.