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コロイドの量子ドットは最近、独自の光学特性とシンプルで低コストの製造により、光電子デバイスの製造に多くの関心を集めています。PBSナノ結晶は、近赤外光検出器の最も進行したコロイド材料として出現しました。この作業では、PBSコロイド量子ドット光伝導器の製造と特性評価について報告します。シリコンエレクトロニクスとのモノリシック統合に適したデバイスを作成するために、フォトセクターの製造のためのシンプルで低コストのプロセスを提案し、非常に低い電圧バイアスでその動作を調査します。当社の光伝導器は、それぞれ1.3μMおよび1 Vバイアスで高い応答性と検出性を備えており、最大値はそれぞれ30 A/Wおよび2・1010 CMHz1/2W-1です。1011 CMHZ1/2W-1に近い検出率は、ブリッジセンサーの読み取りに頼って得られました。
コロイドの量子ドットは最近、独自の光学特性とシンプルで低コストの製造により、光電子デバイスの製造に多くの関心を集めています。PBSナノ結晶は、近赤外光検出器の最も進行したコロイド材料として出現しました。この作業では、PBSコロイド量子ドット光伝導器の製造と特性評価について報告します。シリコンエレクトロニクスとのモノリシック統合に適したデバイスを作成するために、フォトセクターの製造のためのシンプルで低コストのプロセスを提案し、非常に低い電圧バイアスでその動作を調査します。当社の光伝導器は、それぞれ1.3μMおよび1 Vバイアスで高い応答性と検出性を備えており、最大値はそれぞれ30 A/Wおよび2・1010 CMHz1/2W-1です。1011 CMHZ1/2W-1に近い検出率は、ブリッジセンサーの読み取りに頼って得られました。
Colloidal quantum dots have recently attracted lot of interest in the fabrication of optoelectronic devices due to their unique optical properties and their simple and low cost fabrication. PbS nanocrystals emerged as the most advanced colloidal material for near infrared photodetectors. In this work we report on the fabrication and characterization of PbS colloidal quantum dot photoconductors. In order to make devices suitable for the monolithic integration with silicon electronics, we propose a simple and low cost process for the fabrication of photodetectors and investigate their operation at very low voltage bias. Our photoconductors feature high responsivity and detectivity at 1.3 μm and 1 V bias with maximum values of 30 A/W and 2·1010 cmHz1/2W-1, respectively. Detectivity close to 1011 cmHz1/2W-1 has been obtained resorting to bridge sensor readout.
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