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Halide Perovskite吸収体ベースの太陽光発電デバイスにおける高作業関数の接触の効果を調査します。光放出分光法の測定により、高作業関数の三酸化モリブデン(MOO3)の堆積により、吸収体にバンドの曲げが誘導されることが明らかになりました。MOO3とペロブスカイトとの直接的な接触は、化学反応につながり、デバイスの機能を低下させることがわかります。超薄型スピロメオタッドバッファー層を導入すると、反応が防止されますが、界面でのメチルアンモニウム鉛ヨウ化鉛層のエネルギーレベルの変化の進化の変化は、デバイスのパフォーマンスに依然として悪影響を与えます。
Halide Perovskite吸収体ベースの太陽光発電デバイスにおける高作業関数の接触の効果を調査します。光放出分光法の測定により、高作業関数の三酸化モリブデン(MOO3)の堆積により、吸収体にバンドの曲げが誘導されることが明らかになりました。MOO3とペロブスカイトとの直接的な接触は、化学反応につながり、デバイスの機能を低下させることがわかります。超薄型スピロメオタッドバッファー層を導入すると、反応が防止されますが、界面でのメチルアンモニウム鉛ヨウ化鉛層のエネルギーレベルの変化の進化の変化は、デバイスのパフォーマンスに依然として悪影響を与えます。
We investigate the effect of high work function contacts in halide perovskite absorber-based photovoltaic devices. Photoemission spectroscopy measurements reveal that band bending is induced in the absorber by the deposition of the high work function molybdenum trioxide (MoO3). We find that direct contact between MoO3 and the perovskite leads to a chemical reaction, which diminishes device functionality. Introducing an ultrathin spiro-MeOTAD buffer layer prevents the reaction, yet the altered evolution of the energy levels in the methylammonium lead iodide (MAPbI3) layer at the interface still negatively impacts device performance.
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