Langmuir-Blodgett Monolayersに基づく全炭素電極分子電子デバイス

2つの炭素質電極の間に挟まれた単層Langmuir-Blodgettフィルムに基づく新生分子電子デバイスが準備されています。4-（4-（（4-エチニルフェニル）エチニル）フェニル）エチニル）4-（4-（（4-エチニルフェニル）エチニル）の密集した単層）ベンゾ酸は、高度に向いた熱分解グラファイト電極に堆積します。焦点を合わせた電子ビーム誘導堆積技術を使用して、ナフタレン前駆体から単層の上にアモルファス炭素トップ接触電極が形成されます。これにより、NM解像度を備えたフィルム上の明確に定義された形状、厚さ、および正確な位置を持つカーボントップ接触電極の堆積が可能になります。これらの結果は、単層と炭素電極に基づいた統合分子電子デバイスの実現に向けた実質的なステップを表しています。

Nascent molecular electronic devices, based on monolayer Langmuir-Blodgett films sandwiched between two carbonaceous electrodes, have been prepared. Tightly packed monolayers of 4-((4-((4-ethynylphenyl)ethynyl)phenyl)ethynyl)benzoic acid are deposited onto a highly oriented pyrolytic graphite electrode. An amorphous carbon top contact electrode is formed on top of the monolayer from a naphthalene precursor using the focused electron beam induced deposition technique. This allows the deposition of a carbon top-contact electrode with well-defined shape, thickness, and precise positioning on the film with nm resolution. These results represent a substantial step toward the realization of integrated molecular electronic devices based on monolayers and carbon electrodes.