Schottky Barrier Metal-Oxide-Semiconductorトランジスタのスケーラビリティ

このホワイトペーパーでは、Schottkyバリアの金属酸化酸化伝達導体効果トランジスタ（SBモスフェット）の一般的な特性とスケーラビリティを導入してレビューします。最も重要な要因、すなわち、インターフェイストラップ密度、寿命、ショットキーバリアのエルビウム照射されたショットキーダイオードの高さは、同等の回路法を使用して推定されます。抽出された界面トラップ密度、寿命、および穴のショットキーバリアの高さは、それぞれ1.5×1013トラップ/cm2、3.75 ms、および0.76 eVと推定されます。インターフェイストラップは、N2アニーリングによって効率的に硬化します。ダイオードの特性に基づいて、エルビウム照射/プラチナ照射N/P型SBモスフェットのさまざまなサイズが製造および分析されます。製造されたSB-Mosfetsは、ソースとチャネルの間にSchottkyバリアが存在するため、強化された排水誘発バリア低下（DIBL）特性を示しています。DIBLおよび閾値下のスイング特性は、ナノスケール体制におけるSBモスフェットの可能性のある適用を示す二重ゲートモスフェットの究極のスケーリング限界に匹敵します。

In this paper, the general characteristics and the scalability of Schottky barrier metal-oxide-semiconductor field effect transistors (SB-MOSFETs) are introduced and reviewed. The most important factors, i.e., interface-trap density, lifetime and Schottky barrier height of erbium-silicided Schottky diode are estimated using equivalent circuit method. The extracted interface trap density, lifetime and Schottky barrier height for hole are estimated as 1.5 × 1013 traps/cm2, 3.75 ms and 0.76 eV, respectively. The interface traps are efficiently cured by N2 annealing. Based on the diode characteristics, various sizes of erbium-silicided/platinum-silicided n/p-type SB-MOSFETs are manufactured and analyzed. The manufactured SB-MOSFETs show enhanced drain induced barrier lowering (DIBL) characteristics due to the existence of Schottky barrier between source and channel. DIBL and subthreshold swing characteristics are comparable with the ultimate scaling limit of double gate MOSFETs which shows the possible application of SB-MOSFETs in nanoscale regime.