YbのパッシブQスイッチング：CR4+：YAGおよびV3+：YAG飽和吸収体によるCNGSレーザー

三角ランガサイト型順序型ケイ酸塩結晶Yb：Ca3nbga3si2O14（Yb：CNGS）は、効率的な〜1μMレーザーの有望な材料です。ポンプ源として976 nmのボリュームブラッググレーティング安定化ダイオードを備えたCR4+：YAGおよびV3+：YAG飽和吸収剤（SAS）を使用して、最初の受動的にQスイッチされたYB：CNGSレーザーを報告します。レーザークリスタルは、Czochralskiメソッドによって成長したCNG：cngsのCカット3でした。コンパクトなマイクロチップ型レーザーキャビティに配置されました。CR4+：YAG SAでは、非常に安定した62.2μJ/4.4 nsパルスが22.5 kHzの繰り返し速度で達成されました。平均出力電力は1015.3 nmで1.40 Wで、90％のQスイッチング変換効率に対応していました。V3+：YAG SAの場合、パルス特性は68.4 kHzのより高い繰り返し速度で13.3μJ/11.1 nsでした。YB：CNGS/CR4+：YAGのパフォーマンスは、実験との良好な一致を示す数値モデル化されました。

Trigonal langasite-type ordered silicate crystal Yb:Ca3NbGa3Si2O14 (Yb:CNGS) is a promising material for efficient ∼1  μm lasers. We report on the first passively Q-switched Yb:CNGS laser using Cr4+:YAG and V3+:YAG saturable absorbers (SAs) with a 976 nm volume-Bragg-grating-stabilized diode as a pump source. The laser crystal was a c cut 3 at.% Yb:CNGS grown by the Czochralski method. It was placed in a compact microchip-type laser cavity. With a Cr4+:YAG SA, very stable 62.2 μJ/4.4 ns pulses were achieved at a repetition rate of 22.5 kHz. The average output power was 1.40 W at 1015.3 nm, corresponding to a Q switching conversion efficiency of 90%. With the V3+:YAG SA, the pulse characteristics were 13.3 μJ/11.1 ns at a higher repetition rate of 68.4 kHz. The performance of the Yb:CNGS/Cr4+:YAG was numerically modeled showing a good agreement with the experiment.