メチルアミンインターカレーションによる青いQLEDSのグラフC3 N4量子ドットのワンポット剥離

ここでは、1ポットのメチルアミンインターカレーションストリッピング法（omim）を使用して、バルクグラフィットカーボンニトル化物（G-C3 N4）からQDSを排出するためにQDを排出するためにQDを排出するための溶液を改善したグラファイト窒化物量量子ドット（G-C3 N4-QDS）の簡略合成を紹介します。この方法で合成された量子ドットは、非常に高い蛍光量子収量（47.0％）で青色のフォトルミネッセンスを保持します。以前に報告された量子ドットと比較して、本明細書で合成されたG-C3 N4-QDSは、高絶対ゼータポテンシャル（-41.23 mV）により、多分散性が低く、溶液の安定性が改善され、溶液処理型型フィルム製造のためのはるかに扱いやすい材料が作成されます。これらのQDのスピンコーティングは、均一なフィルムを得て、完全なカバレッジと低い表面粗さを生成し、量子ドット光発光ダイオード（QLE）製造に最適です。発光層としてOmim G-C3 N4-QDを使用して機能的なQDに組み込まれると、LEDは、以前に報告された第1世代のG-C3 N4 QLEDSと比較して、より低い動作電圧（9対21 V）で約60×より高い輝度（605対11 CD M-2）を示しますが、デバイスの安定性を向上させる必要があります。

Here, a simplified synthesis of graphitic carbon nitride quantum dots (g-C3 N4 -QDs) with improved solution and electroluminescent properties using a one-pot methylamine intercalation-stripping method (OMIM) to hydrothermally exfoliate QDs from bulk graphitic carbon nitride (g-C3 N4 ) is presented. The quantum dots synthesized by this method retain the blue photoluminescence with extremely high fluorescent quantum yield (47.0%). As compared to previously reported quantum dots, the g-C3 N4 -QDs synthesized herein have lower polydispersity and improved solution stability due to high absolute zeta-potential (-41.23 mV), which combine to create a much more tractable material for solution processed thin film fabrication. Spin coating of these QDs yields uniform films with full coverage and low surface roughness ideal for quantum dot light-emitting diode (QLED) fabrication. When incorporated into a functional QLED with OMIM g-C3 N4 -QDs as the emitting layer, the LED demonstrates ≈60× higher luminance (605 vs 11 Cd m-2 ) at lower operating voltage (9 vs 21 V), as compared to the previously reported first generation g-C3 N4 QLEDs, though further work is needed to improve device stability.