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X線排出分光法（XES）のポハン加速器研究所の1Cビームラインのフォン・ハモス・ブラッグ・クリスタル分光計が説明されています。異なる方向のさいの目に切ったSi結晶（[111]、[110]、[100]、および[311]）は、半径250/500 mmの曲率を持つプラノコンケーブガラス基板に接着されています。分光計の効率を高めるために、クリスタルアナライザーの長さは200 mmに保たれます。Cu箔の放射スペクトルとFe箔の放出スペクトルとAl箔からの弾性散乱は、湾曲した結晶がX線を分散させるVon Hamosジオメトリを使用して測定されます。分光計の効率とエネルギー分解能は、さまざまなX線光子エネルギーで測定されます。X線は、Si（440）、Si（444）、Si（800）、およびSi（933）の結晶分析装置のために、6.54 Kev、9.00 Kev、9.205 Kev、および11.51 Kevで入射します。円筒形の数字アナライザーは、サンプルに関して80°近くに配置されているため、エネルギー分解能が向上します。Si（444）クリスタル分析器の分光計効率は、分析器の長さが100 mmから200 mmに増加すると、約2倍増加します。さらに、FeKα1、Kα2、およびKβを同時に測定するために、Si [111]とSi [110]の代替ストリップが、1つのプレシャー付き円筒基板に接着される混合結晶分析器を作成しました。KαおよびKβ放出株の効率と同時測定は、in situおよび時間分解されたX線排出分光法のエッジを与えます。低強度XES排出ラインから高効率分光計で抽出された情報は、触媒反応におけるin situ元素特性評価に役立ちます。
X線排出分光法（XES）のポハン加速器研究所の1Cビームラインのフォン・ハモス・ブラッグ・クリスタル分光計が説明されています。異なる方向のさいの目に切ったSi結晶（[111]、[110]、[100]、および[311]）は、半径250/500 mmの曲率を持つプラノコンケーブガラス基板に接着されています。分光計の効率を高めるために、クリスタルアナライザーの長さは200 mmに保たれます。Cu箔の放射スペクトルとFe箔の放出スペクトルとAl箔からの弾性散乱は、湾曲した結晶がX線を分散させるVon Hamosジオメトリを使用して測定されます。分光計の効率とエネルギー分解能は、さまざまなX線光子エネルギーで測定されます。X線は、Si（440）、Si（444）、Si（800）、およびSi（933）の結晶分析装置のために、6.54 Kev、9.00 Kev、9.205 Kev、および11.51 Kevで入射します。円筒形の数字アナライザーは、サンプルに関して80°近くに配置されているため、エネルギー分解能が向上します。Si（444）クリスタル分析器の分光計効率は、分析器の長さが100 mmから200 mmに増加すると、約2倍増加します。さらに、FeKα1、Kα2、およびKβを同時に測定するために、Si [111]とSi [110]の代替ストリップが、1つのプレシャー付き円筒基板に接着される混合結晶分析器を作成しました。KαおよびKβ放出株の効率と同時測定は、in situおよび時間分解されたX線排出分光法のエッジを与えます。低強度XES排出ラインから高効率分光計で抽出された情報は、触媒反応におけるin situ元素特性評価に役立ちます。
A von Hamos Bragg crystal spectrometer at 1C beamline of Pohang Accelerator Laboratory for x-ray emission spectroscopy (XES) is described. Diced Si crystals of different orientations ([111], [110], [100], and [311]) are glued onto a planoconcave glass substrate having 250/500 mm radius of curvature. To enhance the spectrometer efficiency, the length of the crystal analyzer is kept 200 mm. The emission spectra of Cu foil and Fe foil and elastic scattering from Al foil are measured using the von Hamos geometry in which curved crystals disperse the x-rays. Spectrometer efficiency and energy resolution are measured at various x-ray photon energies. X-rays are incident at 6.54 keV, 9.00 keV, 9.205 keV, and 11.51 keV for Si(440), Si(444), Si(800), and Si(933) crystal analyzers, respectively. The cylindrical figured analyzer is placed near 80° with respect to the sample, which gives better energy resolution. The spectrometer efficiency of the Si(444) crystal analyzer increases by ∼2 times when the length of the analyzer is increased from 100 mm to 200 mm. Furthermore, to measure Fe Kα1, Kα2, and Kβ simultaneously, we made a mixed crystal analyzer in which alternative strips of Si[111] and Si[110] are glued onto one preshaped cylindrical substrate. The enhanced efficiency and simultaneous measurement of Kα and Kβ emission lines will give an edge over in situ and time-resolved x-ray emission spectroscopy studies. The information extracted with a high efficiency spectrometer from low intensity XES emission lines will be useful for the in situ elemental characterization in catalytic reactions.
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