複数のマイクロ波パルスを介して誘導されるピンダイオードリミッターの損傷蓄積メカニズム

陽性intincic陰性（PIN）ダイオードは、無線周波数（RF）レシーバーシステムおよび通信フロントエンドの損傷から敏感なコンポーネントを保護するためのリミッターとして広く使用されています。ただし、RFレシーバーシステムのフロントエンドを介したマイクロ波パルスの結合により、ピンダイオードリミッターを燃やすことができます。PINリミッターの損傷プロセスとメカニズムは、間違いなく重要なトピックです。ここでは、外部マイクロ波パルスによって誘導されるPINリミッターの損傷蓄積プロセスが、注入実験を介して研究されています。リミッターの損傷の程度（つまり、挿入損失）と注入パルスの数との関係が報告されています。ピンリミッターの燃え尽き症候群の最大温度基準は、理論的に予測され、実験的に正確ではないことが確認されており、マイクロ波パルスを介してリミッターに注入されるエネルギーが増加する場合にのみ、ピンダイオードリミッターの挿入損失が大幅に変化することがさらに観察されます。

Positive-intrinsic-negative (PIN) diodes are widely used as limiters to protect sensitive components from damage in radio frequency (RF) receiver systems and communication front-ends. However, PIN diode limiters can be burnt out due to the microwave pulses coupling through the front-end of RF receiver systems. The damage processes and mechanisms in PIN limiters are undoubtedly important topics. Here, the damage accumulation process in PIN limiters induced by external microwave pulses is studied via the injection experiments. The relationship between the degree of damage (i.e., insertion loss) in the limiters and number of the injected pulses is reported. The maximum temperature criterion for burnout in PIN limiters is theoretically predicted and experimentally verified not accurate, and it is further observed that the insertion loss of the PIN diode limiter changes significantly only if more energy is injected into the limiter via microwave pulses.