室温テラヘルツ異常なホール効果weyl anter-fermagnets mn3sn薄膜における効果

Terahertz（THZ）周波数での反強磁性スピン運動は、高速スピントロニクスの関心の高まりを引き付けますが、外部フィールドに対するより小さな応答がデバイスアプリケーションを阻害します。最近、ワイル半分の候補である非共線抗強磁石MN3SNは、強磁性に匹敵する室温で大きな異常なホール効果（AHE）を示すことが報告されました。このような大規模な応答の動的な側面は、将来のTHZデータ処理のために明確にされるべき重要な問題です。ここで、MN3SN薄膜におけるTHZ異常なホール導電率は、偏光分解分光法によって調査されています。THZ周波数での大きな異常なホール導電率[式：テキストを参照]は、偏光回転として明確に観察されます。スピンテクスチャの対称性の破壊/回復に対応する独特の温度依存性についても説明します。室温でのTHZ AHEの観察は、MN3SNを使用した反強磁性スピトロニクスの超高速読み出しを示しており、Weyl抗ファロマグネットの非平衡ダイナミクスを研究するための新しい手段も開きます。

Antiferromagnetic spin motion at terahertz (THz) frequencies attracts growing interests for fast spintronics, however, their smaller responses to external field inhibit device application. Recently the noncollinear antiferromagnet Mn3Sn, a Weyl semimetal candidate, was reported to show large anomalous Hall effect (AHE) at room temperature comparable to ferromagnets. Dynamical aspect of such large responses is an important issue to be clarified for future THz data processing. Here the THz anomalous Hall conductivity in Mn3Sn thin films is investigated by polarization-resolved spectroscopy. Large anomalous Hall conductivity [Formula: see text] at THz frequencies is clearly observed as polarization rotation. A peculiar temperature dependence corresponding to the breaking/recovery of symmetry in the spin texture is also discussed. Observation of the THz AHE at room temperature demonstrates the ultrafast readout for the antiferromagnetic spintronics using Mn3Sn, and will also open new avenue for studying nonequilibrium dynamics in Weyl antiferromagnets.