GAASおよびGASB基板がINAS/GASB超格子ベースの中赤外帯域間カスケードフォトセクターの検出パラメーターに対する影響

このペーパーでは、INAS/GASBタイプII超格子吸収体を備えたバンド間カスケード赤外線光検出器の電気的および光学的特性を示しています。ネイティブGASB基板および格子誤ったGAAS基板上で成長した検出器の検出パラメーターを比較し、特に光学浸漬を使用することでデバイスの性能を強化するためのソリューションを求めます。GAASで成長した検出器は、室温でより良い検出パラメーターを持っていますが、低温では、誤った脱臼がより重要になり、GASBで成長した検出器が良くなります。

The paper presents electrical and optical properties of interband cascade infrared photodetectors with InAs/GaSb type-II superlattice absorbers. We compare the detection parameters of detectors grown on the native GaSb substrate and lattice-mismatched GaAs substrate and seek solutions to enhance device performance, specifically with using an optical immersion. The detectors grown on GaAs have better detection parameters at room temperature, but, at lower temperatures, the misfit dislocations become more important, and detectors grown on GaSb become better.