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酸化亜鉛ナノ粒子（ZnO NP）は、優れた電気特性により、量子ドット光発光デバイス（QLEDS）の無機電子輸送層（ETL）として広く使用されています。ここでは、QLEDSの電気的および光学的特性に対する異なる粒子サイズのZnO NPS無機ETLの効果を報告します。ZnO NPをそれぞれ3 nmと8 nmのサイズに合成し、それらをQLEDSの無機ETLとして使用しました。合成されたZnO NPの粒子サイズと結晶構造は、透過型電子顕微鏡（TEM）分析とX線パターン分析によって検証されました。8 nm ZnO NPS ETLを搭載したデバイスは、単一の穴輸送層（HTL）QLEDSの3 nM ZnO NPS ETLデバイスよりも高い効率を示しました。19.0 cd/aの最大電流効率は、8 nm ZnO NPS層を持つデバイスで達成されました。二重層HTLおよびZnO NPS ETLを最適化することにより、3 nm ZnO NPSデバイスで17.5 CD/Aの最大電流効率を取得しました。
酸化亜鉛ナノ粒子（ZnO NP）は、優れた電気特性により、量子ドット光発光デバイス（QLEDS）の無機電子輸送層（ETL）として広く使用されています。ここでは、QLEDSの電気的および光学的特性に対する異なる粒子サイズのZnO NPS無機ETLの効果を報告します。ZnO NPをそれぞれ3 nmと8 nmのサイズに合成し、それらをQLEDSの無機ETLとして使用しました。合成されたZnO NPの粒子サイズと結晶構造は、透過型電子顕微鏡（TEM）分析とX線パターン分析によって検証されました。8 nm ZnO NPS ETLを搭載したデバイスは、単一の穴輸送層（HTL）QLEDSの3 nM ZnO NPS ETLデバイスよりも高い効率を示しました。19.0 cd/aの最大電流効率は、8 nm ZnO NPS層を持つデバイスで達成されました。二重層HTLおよびZnO NPS ETLを最適化することにより、3 nm ZnO NPSデバイスで17.5 CD/Aの最大電流効率を取得しました。
Zinc oxide nanoparticles (ZnO NPs) have been widely used as an inorganic electron transport layer (ETL) in quantum dot light-emitting devices (QLEDs) due to their excellent electrical properties. Here, we report the effect of ZnO NPs inorganic ETL of different particle sizes on the electrical and optical properties of QLEDs. We synthesized ZnO NPs into the size of 3 nm and 8 nm respectively and used them as an inorganic ETL of QLEDs. The particle size and crystal structure of the synthesized ZnO NPs were verified by Transmission electron microscopy (TEM) analysis and X-ray pattern analysis. The device with 8 nm ZnO NPs ETL exhibited higher efficiency than the 3 nm ZnO NPs ETL device in the single hole transport layer (HTL) QLEDs. The maximum current efficiency of 19.0 cd/A was achieved in the device with 8 nm ZnO NPs layer. We obtained the maximum current efficiency of 17.5 cd/A in 3 nm ZnO NPs device by optimizing bilayer HTL and ZnO NPs ETL.
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