SIC光導管半導体スイッチの補償タイプと格子構造に対する伝導特性の依存性

半挿入（SI）SIC光伝導半導体スイッチは、2つの補償メカニズムを使用して調製しました。つまり、バナジウムドーパント補償（4Hおよび6H-SIC）と深部レベルの欠陥補償（4H-SIC）です。チャネル長がそれぞれ24 kVと364 Aに達し、約1Ωの最小状態抵抗を持つ高純度（HP）SI 4H-SIC光導管半導体スイッチ（PCSS）のバイアス電圧と電流355 nmの波長でのレーザー照明によってトリガーされました。実験結果は、この場合、HP 4H-SIC PCSのオンステート特性が、バナジウムドープ（VD）4Hおよび6H-SIC PCSSデバイスの現状よりも優れていることを示しています。HP 4H-SIC PCSSは、驚くべき波形の一貫性を示しています。VD 4Hおよび6H-SIC PCSとは異なり、HP 4H-SIC PCSSの現在の波形は、キャリアの寿命が長いため、尾部の現象を示します。

Semi-insulating (SI) SiC photoconductive semiconductor switches were prepared using two compensation mechanisms: namely vanadium dopants compensation (4H- and 6H-SiC) and deep level defect compensation (4H-SiC). The bias voltage and current of the high-purity (HP) SI 4H-SiC photoconductive semiconductor switch (PCSS) with a channel length of 1 mm reached 24 kV and 364 A, respectively, and the minimum on-state resistance of approximately 1 Ω was triggered by laser illumination at a wavelength of 355 nm. The experimental results show that, in this case, the on-state characteristics of HP 4H-SiC PCSS are superior to those of the vanadium-doped(VD) 4H and 6H-SiC PCSS devices. HP 4H-SiC PCSS shows remarkable waveform consistency. Unlike for VD 4H and 6H-SiC PCSS, the current waveform of HP 4H-SiC PCSS exhibits a tailing phenomenon due to its longer carrier lifetime.