著名医師による解説が無料で読めます
すると翻訳の精度が向上します
酸化シリコン（Poly-SI/SIOX）の吸収接触の症状のリンドープ型多結晶シリコンは、800°C以上で発火処理を受けると顕著な表面不活性化の分解に苦しむことが以前に示されています。分解の挙動は、誘電体コーティング層や発火温度などの処理条件に強く依存します。現在の研究では、ポリシー接触の発射安定性をさらに研究し、水素の役割に基づいて観察された挙動のメカニズムを提案しています。二次イオン質量分析が適用され、異なる温度で発火した後、窒素のアニールによって水素を除去した後、ポリSI/SIOX構造の水素濃度を測定します。界面Sioxの周りの一定量の水素はパッシベーションに有益であることが知られていますが、驚くべきことに、過剰な量の水素がポリSIの不動態化を劣化させ、再結合電流密度パラメーターJ0を増加させることができました。過剰な水素の存在は、窒化シリコン（SINX）で発射された選択されたポリシーサンプルで明らかです。そこでは、Siox中間層に追加の水素を注入すると、水素を除去しながら水素が完全に回復し、JO0でさらに分解されます。さらに、提案されたモデルは、微結晶特性とドーピングプロファイルへの発火安定性の依存性を説明します。これは、発火時の水素の有効拡散率、したがって発火後の界面Sioxの周りの水素の量を決定します。
酸化シリコン（Poly-SI/SIOX）の吸収接触の症状のリンドープ型多結晶シリコンは、800°C以上で発火処理を受けると顕著な表面不活性化の分解に苦しむことが以前に示されています。分解の挙動は、誘電体コーティング層や発火温度などの処理条件に強く依存します。現在の研究では、ポリシー接触の発射安定性をさらに研究し、水素の役割に基づいて観察された挙動のメカニズムを提案しています。二次イオン質量分析が適用され、異なる温度で発火した後、窒素のアニールによって水素を除去した後、ポリSI/SIOX構造の水素濃度を測定します。界面Sioxの周りの一定量の水素はパッシベーションに有益であることが知られていますが、驚くべきことに、過剰な量の水素がポリSIの不動態化を劣化させ、再結合電流密度パラメーターJ0を増加させることができました。過剰な水素の存在は、窒化シリコン（SINX）で発射された選択されたポリシーサンプルで明らかです。そこでは、Siox中間層に追加の水素を注入すると、水素を除去しながら水素が完全に回復し、JO0でさらに分解されます。さらに、提案されたモデルは、微結晶特性とドーピングプロファイルへの発火安定性の依存性を説明します。これは、発火時の水素の有効拡散率、したがって発火後の界面Sioxの周りの水素の量を決定します。
It has previously been shown that ex situ phosphorus-doped polycrystalline silicon on silicon oxide (poly-Si/SiOx) passivating contacts can suffer a pronounced surface passivation degradation when subjected to a firing treatment at 800 °C or above. The degradation behavior depends strongly on the processing conditions, such as the dielectric coating layers and the firing temperature. The current work further studies the firing stability of poly-Si contacts and proposes a mechanism for the observed behavior based on the role of hydrogen. Secondary ion mass spectrometry is applied to measure the hydrogen concentration in the poly-Si/SiOx structures after firing at different temperatures and after removing hydrogen by an anneal in nitrogen. While it is known that a certain amount of hydrogen around the interfacial SiOx can be beneficial for passivation, surprisingly, we found that the excess amount of hydrogen can deteriorate the poly-Si passivation and increase the recombination current density parameter J0. The presence of excess hydrogen is evident in selected poly-Si samples fired with silicon nitride (SiNx), where the injection of additional hydrogen to the SiOx interlayer leads to further degradation in the J0, while removing hydrogen fully recovers the surface passivation. In addition, the proposed model explains the dependence of firing stability on the crystallite properties and the doping profile, which determine the effective diffusivity of hydrogen upon firing and hence the amount of hydrogen around the interfacial SiOx after firing.
医師のための臨床サポートサービス
ヒポクラ x マイナビのご紹介
無料会員登録していただくと、さらに便利で効率的な検索が可能になります。