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ディビニルシロキサン - ビス - ベンゾシクロブテン（DVS-BCB）は、その優れた特性により、中間結合材料として大きな注目を集めています。ただし、高硬化温度と最適化されていない圧縮圧力での周辺機器の損傷により、その用途は限られています。したがって、DVS-BCB結合の圧縮圧力条件を調査する必要があります。この研究は、無効なDVS-BCB結合の最適化プロセスを示しています。無効なDVS-BCB結合を取得するプロセスは、0.03 TORRの真空条件、0.6 N/mm2の圧縮圧力、および250°Cの硬化温度です。ここでは、DVS-BCB結合メカニズムを介してDVS-BCB結合品質に影響する2つの要因を定義します。強力なDVS-BCB結合には、無効および高密度の化学結合が必要です。したがって、比較的低い温度（250°C）でさまざまな圧縮圧力条件下でDVS-BCB結合を観察しました。ボイドの存在と高密度の架橋密度は、近赤外共焦点レーザー顕微鏡とフーリエ変換赤外線顕微鏡を介して調べられました。また、ユニバーサルテストマシンを使用して、DVS-BCB結合の接着を評価しました。結果は、0.6 n/mm2の圧縮圧力条件で、ボイドなしの良好な接着と高い架橋密度が得られたことを示唆しています。提案されたプロセスは、半導体およびデバイスパッケージング技術のアプリケーションにとって非常に重要であると考えています。
ディビニルシロキサン - ビス - ベンゾシクロブテン（DVS-BCB）は、その優れた特性により、中間結合材料として大きな注目を集めています。ただし、高硬化温度と最適化されていない圧縮圧力での周辺機器の損傷により、その用途は限られています。したがって、DVS-BCB結合の圧縮圧力条件を調査する必要があります。この研究は、無効なDVS-BCB結合の最適化プロセスを示しています。無効なDVS-BCB結合を取得するプロセスは、0.03 TORRの真空条件、0.6 N/mm2の圧縮圧力、および250°Cの硬化温度です。ここでは、DVS-BCB結合メカニズムを介してDVS-BCB結合品質に影響する2つの要因を定義します。強力なDVS-BCB結合には、無効および高密度の化学結合が必要です。したがって、比較的低い温度（250°C）でさまざまな圧縮圧力条件下でDVS-BCB結合を観察しました。ボイドの存在と高密度の架橋密度は、近赤外共焦点レーザー顕微鏡とフーリエ変換赤外線顕微鏡を介して調べられました。また、ユニバーサルテストマシンを使用して、DVS-BCB結合の接着を評価しました。結果は、0.6 n/mm2の圧縮圧力条件で、ボイドなしの良好な接着と高い架橋密度が得られたことを示唆しています。提案されたプロセスは、半導体およびデバイスパッケージング技術のアプリケーションにとって非常に重要であると考えています。
Divinylsiloxane-bis-benzocyclobutene (DVS-BCB) has attracted significant attention as an intermediate bonding material, owing to its excellent properties. However, its applications are limited, due to damage to peripheral devices at high curing temperatures and unoptimized compressive pressure. Therefore, it is necessary to explore the compressive pressure condition for DVS-BCB bonding. This study demonstrates an optimization process for void-free DVS-BCB bonding. The process for obtaining void-free DVS-BCB bonding is a vacuum condition of 0.03 Torr, compressive pressure of 0.6 N/mm2, and curing temperature of 250 °C for 1 h. Herein, we define two factors affecting the DVS-BCB bonding quality through the DVS-BCB bonding mechanism. For strong DVS-BCB bonding, void-free and high-density chemical bonds are required. Therefore, we observed the DVS-BCB bonding under various compressive pressure conditions at a relatively low temperature (250 °C). The presence of voids and high-density crosslinking density was examined through near-infrared confocal laser microscopy and Fourier-transform infrared microscopy. We also evaluated the adhesion of the DVS-BCB bonding, using a universal testing machine. The results suggest that the good adhesion with no voids and high crosslinking density was obtained at the compressive pressure condition of 0.6 N/mm2. We believe that the proposed process will be of great significance for applications in semiconductor and device packaging technologies.
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