高性能MOS2フィールド効果トランジスタの卓上生産

TableTopでMOS2を使用してフィールド効果トランジスタ（FET）を準備する簡単な方法が表示されます。導電性シルバーペーストは、オーム接触電極として化学蒸気堆積（CVD）栽培MOS2に適用されました。真空でデバイスを加熱すると、ダメージなしでパフォーマンスがさらに向上します。最終的なパフォーマンスは、リソグラフィと金属蒸発器によって調製されたSiO2に包まれたデバイスのパフォーマンスに匹敵します。真空における銀のペーストと熱処理の役割は、デバイスと分光分析によって調査されます。

A simple way to prepare field-effect transistors (FETs) using MoS2 on tabletop is presented. Conductive silver paste was applied onto chemical vapor deposition (CVD)-grown MoS2 as Ohmic-contact electrodes. Heating the device in vacuum further enhances the performance without damage. The final performance is comparable to that of the SiO2-backgated devices prepared by lithography and metal evaporators. The role of the silver paste and heat treatment in vacuum is investigated by device and spectroscopic analysis.