シリコンに基づいて、oband inas量子ドットレーザーとエンジニアリングGAAS仮想基板とモノリシック統合

高性能SIベースのIII-V量子ドット（QD）レーザーの実現は、オプトエレクトロニクス回路に長い間大きな関心を集めてきました。この原稿は、高度なGAAS仮想基板に統合されたINAS/GAAS QDレーザーを示します。GAAS層はもともと、Si Waferの別の仮想基板としてGE上で成長しました。パターン化された基質または洗練された超格子欠陥フィルタリング層は含まれていませんでした。欠陥密度が低い包括的に修正されたGAASクリスタルの品質の向上により、このレーザーの室温放射波長は1320 nmで割り当てられ、層あたり24.4 A/cm-2のしきい値電流密度と最大単一速度で割り当てられました。10°Cで153 MWに達する出力電力。最大動作温度は80°Cに達します。この作業は、近い将来、効率的なOバンドレーザーと標準的なSIプラットフォームを統合するための実現可能かつ有望な提案を提供します。

The realization of high-performance Si-based III-V quantum-dot (QD) lasers has long attracted extensive interest in optoelectronic circuits. This manuscript presents InAs/GaAs QD lasers integrated on an advanced GaAs virtual substrate. The GaAs layer was originally grown on Ge as another virtual substrate on Si wafer. No patterned substrate or sophisticated superlattice defect-filtering layer was involved. Thanks to the improved quality of the comprehensively modified GaAs crystal with low defect density, the room temperature emission wavelength of this laser was allocated at 1320 nm, with a threshold current density of 24.4 A/cm-2 per layer and a maximum single-facet output power reaching 153 mW at 10 °C. The maximum operation temperature reaches 80 °C. This work provides a feasible and promising proposal for the integration of an efficient O-band laser with a standard Si platform in the near future.