分子動力学シミュレーションナノインデンテーションの損傷と拡張プロセス単一結晶3C-SIC炭化物標本の異なる温度で

分子動力学法を使用して、3C-SICシングルの内部損傷と膨張メカニズムに対する温度の影響を研究するために、ナノ誘導負荷下での3C-SICサンプルの損傷膨張プロセスに対するシミュレートされた温度の影響を分析しました。ナノインデンテーションの負荷プロセス中にさらにクリスタルサンプル。ダイヤモンドインデンターインデンテーションのシミュレーションテストプラットフォームが確立されました。応力とひずみ分布、転位の進化、転位の膨張、およびポテンシャルエネルギーの変化のプロセスを分析し、放射状分布関数と負荷変位曲線と組み合わせました。3C-SIC材料に対する温度の影響について説明しました。ポテンシャルエネルギー段階曲線の変動傾向は、基本的に0 k、300 k、600 k、900 Kの温度で同じです。ひずみ分布の違いは、ストレス強度、膨張方向、タイプに対する温度の影響によって特徴付けられました。。微小コスミック症状は、低温での転位スリップの有意差です。転位の進化と拡大の過程で、脱臼は室温で上昇し、高温で増加します。これはエネルギーの放出に密接に関連しています。この研究には、3C-SICサンプルの内部損傷の違いと温度効果を調査するための一定の指針があります。

The molecular dynamics method was used to analyze the influence of simulated temperature on the damage expansion process of the 3C-SiC sample under nano-indentation loading in order to study the influence of temperature on the internal damage and expansion mechanism of the 3C-SiC single crystal sample further during the nano-indentation loading process. A simulation test platform for diamond indenter indentation was established. The process of stress and strain distribution, dislocation evolution, dislocation expansion and potential energy change were analyzed, combined with the radial distribution function and load displacement curve. The influence of temperature on the 3C-SiC material was discussed. The variation trend of the potential energy-step curve is basically the same at the temperatures of 0 K, 300 K, 600 K and 900 K. The difference in strain distribution was characterized by the influence of temperature on stress intensity, expansion direction and type. The microcosmic manifestation is the significant difference in the dislocation slip at low temperature. In the process of dislocation evolution and expansion, dislocation climbs at room temperature and increases at high temperature, which is closely related to energy release. This study has certain guiding significance for investigating the internal damage difference and temperature effect of the 3C-SiC sample.