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300 GB/sを超えるラインレートで動作する次世代光学送信機のための高効率シリコンマイクロリング変調器を提案し、実証します。モジュレーターは、1.8 VPPの駆動電圧で、最大110 Gbaud（330 GB/s）までの高次PAM-8変調をサポートします。小さな駆動電圧とデバイスの容量は、3.1 FJ/ビットの動的なエネルギー消費をもたらします。モジュレーターを使用して、PAM-8を最大130 Gbaud（260 GB/s）の超高ボーレートPAM-4と比較し、PAM-8が帯域幅に制約のある短い短い短いレーンレート操作により適していることを示しています。リーチシステム。
300 GB/sを超えるラインレートで動作する次世代光学送信機のための高効率シリコンマイクロリング変調器を提案し、実証します。モジュレーターは、1.8 VPPの駆動電圧で、最大110 Gbaud（330 GB/s）までの高次PAM-8変調をサポートします。小さな駆動電圧とデバイスの容量は、3.1 FJ/ビットの動的なエネルギー消費をもたらします。モジュレーターを使用して、PAM-8を最大130 Gbaud（260 GB/s）の超高ボーレートPAM-4と比較し、PAM-8が帯域幅に制約のある短い短い短いレーンレート操作により適していることを示しています。リーチシステム。
We propose and demonstrate a high-efficiency silicon microring modulator for next-generation optical transmitters operating at line rates above 300 Gb/s. The modulator supports high-order PAM-8 modulation up to 110 Gbaud (330 Gb/s), with a driving voltage of 1.8 Vpp. The small driving voltage and device capacitance yields a dynamic energy consumption of 3.1 fJ/bit. Using the modulator, we compare PAM-8 with ultrahigh baud rate PAM-4 of up to 130 Gbaud (260 Gb/s) and show PAM-8 is better suited for 300-Gb/s lane rate operation in bandwidth-constrained short-reach systems.
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