レーザーアニーリングによるシリコンと炭化シリコンの再結晶：レビュー

特定の空間領域内の材料特性を変更することは、マイクロエレクトロニックデバイスの製造における極めて重要な段階です。レーザーアニーリングは説得力のある技術として出現し、半導体材料の結晶構造を正確に制御し、局所的な領域でのドーピングイオンの活性化を促進します。これにより、ウェーハまたはデバイス全体をアニーリングする必要性がなくなります。このレビューの目的は、アモルファスシリコン（SI）および炭化シリコン（SIC）サンプルの結晶化を標的とするレーザーアニーリングプロセスを包括的に調査することです。Siliconは、マイクロエレクトロニクスや太陽電池を含む多様なアプリケーションで広範囲に使用されていますが、SICは、挑戦的な環境や高電力統合デバイスで動作するように設計されたコンポーネントを開発するための重要な材料として機能します。このレビューは、基礎となる理論とレーザーアニーリング技術の基礎の調査から始まります。次に、これら2つの半導体材料の結晶化に焦点を当てた最も関連する研究の分析に掘り下げます。

Modifying material properties within a specific spatial region is a pivotal stage in the fabrication of microelectronic devices. Laser annealing emerges as a compelling technology, offering precise control over the crystalline structure of semiconductor materials and facilitating the activation of doping ions in localized regions. This obviates the necessity for annealing the entire wafer or device. The objective of this review is to comprehensively investigate laser annealing processes specifically targeting the crystallization of amorphous silicon (Si) and silicon carbide (SiC) samples. Silicon finds extensive use in diverse applications, including microelectronics and solar cells, while SiC serves as a crucial material for developing components designed to operate in challenging environments or high-power integrated devices. The review commences with an exploration of the underlying theory and fundamentals of laser annealing techniques. It then delves into an analysis of the most pertinent studies focused on the crystallization of these two semiconductor materials.