ヨウ化物の空室欠陥は、ヨウ化鉛ペロブスカイトで単独ではなくペアでクラスタリングを行います：識別、起源、および意味

ヨウ化物（i-）空孔欠陥は、ペロブスカイト光電子デバイスの安定性に強く関連しています。鉛ヨウ化鉛ペロブスカイトのi障害は、通常、単一の孤立した欠陥の形で存在すると考えられています。ただし、I-faccansies Clusterは、標的CSPBI3の典型的なペロブスカイトで特定の方法でペアでクラスターをクラスターすることを決定しました。このi-faccancy-VaCancyダイマーは、2つの孤立したi-単型よりもエネルギー的に好ましいです。それはPB-I八面体の対称性を破り、格子の歪みをもたらします。その起源は、ペロブスカイト材料の電子軌道相互作用によって引き起こされる特別な格子歪み効果にあります。さらに、i-fackancy-VaCancy Dimerと関連する格子歪みにより、2つの孤立したI-単型を持つシステムの寿命と比較して、キャリアの寿命が1.3倍増加しますが、構造の安定性も低下します。i-faccancy欠陥に関するこの新しい洞察は、Perovskite Optoelectronicデバイスの理解を高めます。

Iodide (I-) vacancy defects are strongly related to the stability of perovskite optoelectronic devices. The I- vacancy in lead iodide perovskites is normally considered to exist in the form of a single isolated defect. However, we determined that the I- vacancies cluster in pairs in specific ways in the typical perovskite of tetragonal CsPbI3. This I- vacancy-vacancy dimer is energetically more favorable than two isolated I- monovacancies. It breaks the symmetry of the Pb-I octahedron, resulting in lattice distortion. Its origin lies in the special lattice distortion effect caused by the electron orbital interaction of the perovskite material. Furthermore, the I- vacancy-vacancy dimer and the associated lattice distortion increase the carrier lifetime by 1.3 times compared to that of the system with two isolated I- monovacancies, but they also compromise its structural stability. This new insight into the I- vacancy defect will enhance our understanding of perovskite optoelectronic devices.