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安定化された波長を備えた高電力半導体レーザーは、固体レーザーの模範的なポンピング源として認識されています。この研究では、広範な温度ロック範囲を維持するように設計された分散フィードバック（DFB）レーザーダイオードアレイを紹介します。高出力808 NM DFBレーザーダイオードアレイについて実験的に報告します。1次の正弦波格子は、ナノインプリントリソグラフィを使用して製造され、誘導結合プラズマ（ICP）ドライエッチングとその後の湿潤研磨に成功しました。これらの808 nm DFBレーザーダイオードアレイは、150 Aのパルス電流で134 Wの測定出力電力を実証し、ヒートシンク温度は25°Cに維持されています。勾配効率は、1.1 w/aであると判断されました。150 Aの電流では、レーザーは広い温度範囲にわたって狭いスペクトル幅で動作し、-30〜90°Cで伸び、温度ドリフト係数は0.0595 nm/kでした。
安定化された波長を備えた高電力半導体レーザーは、固体レーザーの模範的なポンピング源として認識されています。この研究では、広範な温度ロック範囲を維持するように設計された分散フィードバック（DFB）レーザーダイオードアレイを紹介します。高出力808 NM DFBレーザーダイオードアレイについて実験的に報告します。1次の正弦波格子は、ナノインプリントリソグラフィを使用して製造され、誘導結合プラズマ（ICP）ドライエッチングとその後の湿潤研磨に成功しました。これらの808 nm DFBレーザーダイオードアレイは、150 Aのパルス電流で134 Wの測定出力電力を実証し、ヒートシンク温度は25°Cに維持されています。勾配効率は、1.1 w/aであると判断されました。150 Aの電流では、レーザーは広い温度範囲にわたって狭いスペクトル幅で動作し、-30〜90°Cで伸び、温度ドリフト係数は0.0595 nm/kでした。
High-power semiconductor lasers with stabilized wavelengths are recognized as exemplary pumping sources for solid-state lasers. This study introduces distributed feedback (DFB) laser diode arrays designed to maintain an extensive temperature locking range. We report experimentally on high-power 808 nm DFB laser diode arrays. The first-order sinusoidal grating was fabricated using nanoimprint lithography, succeeded by inductively coupled plasma (ICP) dry etching and subsequent wet polishing. These 808 nm DFB laser diode arrays have demonstrated a measured output power of 134 W under a pulsed current of 150 A, with the heat sink temperature maintained at 25°C. The slope efficiency was determined to be 1.1 W/A. At a current of 150 A, the laser operated with a narrow spectral width over a wide temperature range, extending from -30 to 90°C, with a temperature drift coefficient of 0.0595 nm/K.
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