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SNドープβ-GA2O3（-201）単結晶の熱誘導性誘電率および導電率特性は、293 kから873 Kの温度で100 Hzから1 MHzの周波数ウィンドウの周波数ドメインインピーダンス分光法により調査されました。）平面指向の単結晶性とβ-Ga2O3におけるSn DoPantの存在は、X線回折（XRD）およびX線光電子（XPS）分光法によって確認されました。インピーダンススペクトルの2つの異なる傾向は、かなりの数のSNドーパントの活性化と温度による動きにより、〜723 K後の緩和時間と半導体から金属遷移の変調によって議論されています。負のインピーダンス値は、573 Kの後にナイキストプロット（Z 'vs Z' '）で発生し、温度で723 K後に逆動きを構成しました。インピーダンスの平均正規化された変化（ΔZ '/ΔF）/Z0は、723 Kの近くに広い下方弛緩高原を示し、弱い電気遷移を示しています。浸透閾値温度573 k以下の誘電率（εR '）の正値の増加は、界面および双極子偏光に起因し、drude理論によって支配された非局在電子のプラズマ振動は、上記の負の誘電率の原因となっています。573 K.実際の誘電率の3D投影は、723 Kの近くに鋭い下向きの陥没穴を作成し、負の誘電率の存在を示しています。電気伝導率は、523 K後の傾向を劇的に変化させ、ホッピング伝導（誘電体または半導体）からジョンチャーの権力法に続くdrude理論による金属伝導への移行を確認します。浸透閾値温度の下では、重複しない小さなポラロントンネリング伝導メカニズムが、0.21 eVの欠陥誘発性活性化エネルギーで発表されました。SNドープβ-Ga2O3は、電磁波操作、クローキングデバイス、アンテナ、センサー、医療イメージング、地震波の伝播などのさまざまなアプリケーションに関連する温度で、ユニークでカスタマイズされた電磁応答を示します。
SNドープβ-GA2O3（-201）単結晶の熱誘導性誘電率および導電率特性は、293 kから873 Kの温度で100 Hzから1 MHzの周波数ウィンドウの周波数ドメインインピーダンス分光法により調査されました。）平面指向の単結晶性とβ-Ga2O3におけるSn DoPantの存在は、X線回折（XRD）およびX線光電子（XPS）分光法によって確認されました。インピーダンススペクトルの2つの異なる傾向は、かなりの数のSNドーパントの活性化と温度による動きにより、〜723 K後の緩和時間と半導体から金属遷移の変調によって議論されています。負のインピーダンス値は、573 Kの後にナイキストプロット（Z 'vs Z' '）で発生し、温度で723 K後に逆動きを構成しました。インピーダンスの平均正規化された変化（ΔZ '/ΔF）/Z0は、723 Kの近くに広い下方弛緩高原を示し、弱い電気遷移を示しています。浸透閾値温度573 k以下の誘電率（εR '）の正値の増加は、界面および双極子偏光に起因し、drude理論によって支配された非局在電子のプラズマ振動は、上記の負の誘電率の原因となっています。573 K.実際の誘電率の3D投影は、723 Kの近くに鋭い下向きの陥没穴を作成し、負の誘電率の存在を示しています。電気伝導率は、523 K後の傾向を劇的に変化させ、ホッピング伝導（誘電体または半導体）からジョンチャーの権力法に続くdrude理論による金属伝導への移行を確認します。浸透閾値温度の下では、重複しない小さなポラロントンネリング伝導メカニズムが、0.21 eVの欠陥誘発性活性化エネルギーで発表されました。SNドープβ-Ga2O3は、電磁波操作、クローキングデバイス、アンテナ、センサー、医療イメージング、地震波の伝播などのさまざまなアプリケーションに関連する温度で、ユニークでカスタマイズされた電磁応答を示します。
Thermally induced dielectric and conductivity properties of an Sn-doped β-Ga2O3 (-201) single crystal were investigated by frequency-domain impedance spectroscopy in the frequency window from 100 Hz to 1 MHz with temperatures between 293 and 873 K. The (-201) plane-orientated single crystalline nature and the presence of an Sn dopant in β-Ga2O3 were confirmed by X-ray diffraction (XRD) and X-ray photoelectron (XPS) spectroscopy. Two different trends of impedance spectra have been discussed by the modulation of relaxation times and semiconductor to metallic transition after ∼723 K due to activation of a significant number of Sn dopants and their movements with temperature. The negative impedance values were encountered in the Nyquist plots (Z' vs Z″) after 573 K and constitute a reverse movement after 723 K with temperature. The average normalized change (ΔZ'/Δf)/Z0 of impedance exhibits a broad downward relaxation plateau near 723 K, indicating a weak electrical transition. The increases in the positive value of the dielectric constant (εr') below a percolating threshold temperature 573 K is attributed to the interfacial and dipolar polarizations, and the plasma oscillation of delocalized electrons governed by the Drude theory is responsible for the negative dielectric constant above 573 K. The 3D projections of the real dielectric constant create a sharp downward sinkhole near 723 K, indicating the existence of negative dielectric permittivity. The electrical conductivity dramatically changes its trends after 523 K and confirms a transition from hopping conduction (dielectric or semiconductor) following Jonscher's power law to metallic conduction by Drude theory. Below the percolating threshold temperature, a nonoverlapping small polaron tunneling conduction mechanism was unveiled with defect-induced activation energy of 0.21 eV. The Sn-doped β-Ga2O3 exhibits unique and tailored electromagnetic responses with temperatures that can be associated with a variety of applications in electromagnetic wave manipulations, cloaking devices, antennas, sensors, medical imaging, seismic wave propagation, etc.
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